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碳化硅的冶炼设备

碳化硅的冶炼设备

2020-06-04T17:06:54+00:00

碳化硅行业发展及设备竞争格局解读交流工艺

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简述碳化硅的生产制备及其应用领域中国粉体网

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第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇知乎

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关于碳化硅的合成、用途及制造工艺 21ic电子网

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由于碳化硅的超常硬度，最初应用于各种磨削工具、如砂轮、纱布、砂及各种磨料，在机械行业材料加工与磨削时大量使用，后来又作为钢铁冶炼中的还原剂与加热元件。从而又发现了他还有高温热稳定性、高热传导性、耐酸碱腐蚀性、低膨胀系数、抗热震好等等一系列的优良性能。在 70 年代中期，美国科学家首先成功以亚微米级的 βSiC 和少量硼。碳添加剂为原料，通过无压由于碳化硅具有优良的物理化学性能，因此作为重要的工业原料而得到广泛的应用。它的主要用途有三个方面：用于制造磨料磨具;用于制造电阻发热元件———硅碳棒、硅碳管等;用于制造耐火材料制品。作为特种耐火材料，它在钢铁冶炼中用作高炉、化铁炉等冲压、腐蚀、磨损厉害部位的耐火制品;在有色金属 (锌、铝、铜)冶炼中作冶炼炉炉衬、熔融金属的输送管道、关于碳化硅的合成、用途及制造工艺 21ic电子网冶炼碳化硅的电阻炉，从结构形式上可分为固定炉和活动炉两种．此外还有u型炉和山型炉． 1、固定炉固定炉是国内外采用最多的一种炉型，其特点是建在地面上不能移动，它与变压器配合有两种型式。一种是炉与变压器都固定，另一种是炉固定，变压器活动。不论那种形式，每台变压器均需配4～6台炉。 2、活动炉把炉建在平板车上，根据工艺流程需要进行移冶炼炉百度百科

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上机数控 ()：碳化硅衬底+设备重大突破 1）SiC 衬底：6 英寸碳化硅衬底成功试制。公司研发中心实验室碳化硅衬底项目历时7 个月，10 月两炉 01 切割切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。将SiC晶棒切割成翘曲度小、厚度均匀、低切损的晶片，对于后续的研磨和抛光至关重要。与传统的内圆、外圆切割相比，多线切割具有大切削速度、高加工工艺详解碳化硅晶片的工艺流程知乎碳化硅的瓶颈主要在工艺上，芯片制造需要使用到碳膜溅射机、高温退火炉、高温离子注入机等专用设备。例如，SiC无扩散，渗杂需要高能注入，一般注入能量在300keV，甚至需要打二阶到700keV以上，这会造成工艺制造成本高、流片效率低，SiC芯片制造过程中需高温注入，且还要高温化退火工艺。其次，栅氧工艺需要面对碳原子的反应，会形成碳相关杂质，需第三代半导体行业深度研究：电力电子器件领域，碳化硅